IRFBG30PBF - 1000V 3.1A 125W Rdson=5Ohm TO-220AB N-MOSFET - VISHAY
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MOSFET, 1000V 3.1A 125W Rdson=5Ohm TO-220AB
Hersteller Code:
IRFBG30PBF
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
125 W
Hersteller Kode:
IRFBG30PBF
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
3.1 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
5 Ohm @ 1.9 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
4 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
12 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
89 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
980 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
1 kV
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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Gewicht:
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