IRFBG30PBF - 1000V 3.1A 125W Rdson=5Ohm TO-220AB N-MOSFET - VISHAY

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IRFBG30PBF - 1000V 3.1A 125W Rdson=5Ohm TO-220AB N-MOSFET - VISHAY

Name: IRFBG30PBF - 1000V 3.1A 125W Rdson=5Ohm TO-220AB N-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY (IR)
SKU: 25-05-70
Price: 1.6621 EUR
Availability: InStock

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MOSFET, 1000 V 3.1 A 125 W Rdson=5Ohm TO-220AB

Hersteller Code:

IRFBG30PBF

Hersteller:

VISHAY (IR)

Datenblatt:

91124.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplatte-montierbar

Bauform:

TO-220AB

Ausfuhr:

Durchgangsloch

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

125 W

Hersteller Kode:

IRFBG30PBF

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

3.1 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

5 Ohm @ 1.9 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

4 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

12 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

89 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

980 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

1 kV

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_012.pdf

Gewicht:

2 g/St.