IRF9952QPBF - 30V 3.5A + 2.3A 2W Rds=0.15/0.4Ohm SMD SO8 N-MOSFET - IRF

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IRF9952QPBF - 30V 3.5A + 2.3A 2W Rds=0.15/0.4Ohm SMD SO8 N-MOSFET - IRF

Name: IRF9952QPBF - 30V 3.5A + 2.3A 2W Rds=0.15/0.4Ohm SMD SO8 N-MOSFET - IRF
Brand: INTERNATIONAL RECTIFIER
SKU: 25-05-43
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MOSFET, 30 V 3.5 A + 2.3 A 2 W Rds=0.15/0.4Ohm SMD SO8

Hersteller Code:

IRF9952QPBF

Hersteller:

INTERNATIONAL RECTIFIER

Datenblatt:

irf9952q.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS, P-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SO8

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

2 W

Hersteller Kode:

F9952Q

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

3.5 A/-2.3 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.15 Ohm/0.4 Ohm @ 1/-0.5 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

3 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

12 ns/19 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

26/40 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

190/190 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

30 V/-30 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_016.pdf ROHS_IRF.pdf

Gewicht:

0,54 g/St.