IRFI640GPBF - 200V 9.8A 40W Rdson=0.18Ohm ITO-220AB N-MOSFET - VISHAY
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MOSFET, 200V 9.8A 40W Rdson=0.18Ohm ITO-220AB
Hersteller Code:
IRFI640GPBF
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
40 W
Hersteller Kode:
IRFI640GPBF
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
9.8 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.18 Ohm @ 5.9 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
4 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
14 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
45 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
1300 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
200 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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Brutto [EUR]
10
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Gewicht:
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