IRF7389PBF - 30V 5.9A + 4.2A 1.6W Rds=0.05/0.1Ohm SMD SO8 N-MOSFET - IRF

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IRF7389PBF - 30V 5.9A + 4.2A 1.6W Rds=0.05/0.1Ohm SMD SO8 N-MOSFET - IRF

Name: IRF7389PBF - 30V 5.9A + 4.2A 1.6W Rds=0.05/0.1Ohm SMD SO8 N-MOSFET - IRF
Brand: INTERNATIONAL RECTIFIER
SKU: 25-05-25
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MOSFET, 30 V 5.9 A + 4.2 A 1.6 W Rds=0.05/0.1Ohm SMD SO8

Hersteller Code:

IRF7389PBF

Hersteller:

INTERNATIONAL RECTIFIER

Datenblatt:

irf7389pbf.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS, P-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SO8

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

1.6 W

Hersteller Kode:

F7389

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

5.9 A/-4.2 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.029 Ohm/0.058 Ohm @ 5.8/-4.9 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

3 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

8.1 ns/13 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

26/34 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

650/710 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

30 V/-30 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_016.pdf ROHS_IRF.pdf

Gewicht:

0,54 g/St.