SI9936BDY-E3 - 30V 4.5A 1.1W Rdson=0.035Ohm SMD SO8 dupla N-MOSFET - VISHAY

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SI9936BDY-E3 - 30V 4.5A 1.1W Rdson=0.035Ohm SMD SO8 dupla N-MOSFET - VISHAY

Name: SI9936BDY-E3 - 30V 4.5A 1.1W Rdson=0.035Ohm SMD SO8 dupla N-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY
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MOSFET, 30 V Dual 4.5 A 1.1 W Rdson=0.035Ohm SMD SO8

Hersteller Code:

SI9936BDY-E3

Hersteller:

VISHAY

Datenblatt:

si9936bd.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SO8

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

1.1 W

Hersteller Kode:

SI9936BDY

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

4.5 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.035 Ohm @ 6 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

3 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

15 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

40 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

550 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

30 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_016.pdf

Gewicht:

0,54 g/St.