IXFK24N100 - 1000V 24A 560W Rdson=0.39Ohm TO-264AA N-MOSFET - IXYS
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MOSFET, 1000V 24A 560W Rdson=0.39Ohm TO-264AA
Hersteller Code:
IXFK24N100
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
560 W
Hersteller Kode:
IXFK24N100
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
24 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.39 Ohm @ 12 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
5.5 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
35 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
75 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
7000 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
1 kV
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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Daten
Zusätzliches Datenblatt:
Gewicht:
10 g/St.

