IXFK180N10 - 100V 180A 560W Rdson=0.008Ohm TO-264AA N-MOSFET - IXYS

Name: IXFK180N10 - 100V 180A 560W Rdson=0.008Ohm TO-264AA N-MOSFET - IXYS
Brand: IXYS
SKU: 25-04-99
Availability: OutOfStock

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Auslaufprodukt

MOSFET, 100V 180A 560W Rdson=0.008Ohm TO-264AA

Hersteller Code:

IXFK180N10

Hersteller:

IXYS

Datenblatt:

DS98552D.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplatte-montierbar

Bauform:

TO-264AA

Ausfuhr:

Durchgangsloch

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

560 W

Hersteller Kode:

IXFK180N10

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

180 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.008 Ohm @ 90 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

4 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

50 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

140 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

9100 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

100 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_013.pdf ROHS_IXYS.pdf

Gewicht:

10 g/St.