STW10NK80Z - 800V 9A 160W Rdson=0.09Ohm TO-247 N-MOSFET - STMICROELECTRONICS

2,3815 €+ MwSt.
3,0245 € inkl. MwSt.

STW10NK80Z - 800V 9A 160W Rdson=0.09Ohm TO-247 N-MOSFET - STMICROELECTRONICS

Name: STW10NK80Z - 800V 9A 160W Rdson=0.09Ohm TO-247 N-MOSFET - STMICROELECTRONICS
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 25-04-94
Price: 3.0245 EUR
Availability: InStock

Das Bild dient nur zur Illustration. Bitte lesen Sie die Produktbeschreibung!

Auf Lager 176 St.

2,3815 €+ MwSt.
3,0245 € inkl. MwSt.

MOSFET, 800 V 9 A 160 W Rdson=0.09Ohm TO-247

Hersteller Code:

STW10NK80Z

Hersteller:

STMICROELECTRONICS

Datenblatt:

CD00003020.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplatte-montierbar

Bauform:

TO-247

Ausfuhr:

Durchgangsloch

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

160 W

Hersteller Kode:

W10NK80Z

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

9 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.09 Ohm @ 4.5 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

4.5 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

30 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

65 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

2180 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

800 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

Mengenrabatt:

Menge [St.]

Netto [EUR]

Brutto [EUR]

1,96 €

2,50 €

1,76 €

2,24 €

1,62 €

2,06 €

Unser Lager

176 St.

Sofort lieferbar

Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_013.pdf

Gewicht:

4,43 g/St.