FQA11N90C-F109 - 900V 11A 300W Rdson=1.1Ohm TO-3PN N-MOSFET - ONSEMI

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FQA11N90C-F109 - 900V 11A 300W Rdson=1.1Ohm TO-3PN N-MOSFET - ONSEMI

Name: FQA11N90C-F109 - 900V 11A 300W Rdson=1.1Ohm TO-3PN N-MOSFET - ONSEMI
Brand: ONSEMI (FAIRCHILD)
SKU: 25-04-86
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MOSFET, 900V 11A 300W Rdson=1.1Ohm TO-3PN

Hersteller Code:

FQA11N90C-F109

Hersteller:

ONSEMI (FAIRCHILD)

Datenblatt:

FQA11N90C_F109.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplatte-montierbar

Bauform:

TO-3PN

Ausfuhr:

Durchgangsloch

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

300 W

Hersteller Kode:

FQA11N90C_F109

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

11 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

1.1 Ohm @ 5.5 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

5 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

130 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

270 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

3290 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

900 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_013.pdf ROHS_Fairchild.pdf

Gewicht:

5,4346 g/St.