IRFD220PBF - 200V 0.8A 1W HD-1 N-MOSFET - IRF
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IRFD220PBF - 200V 0.8A 1W HD-1 N-MOSFET - IRF
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MOSFET, 200V 0.8A 1W HD-1
Hersteller Code:
IRFD220PBF
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
4
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
1 W
Hersteller Kode:
IRFD220PBF
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
0.8 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.5 Ohm @ 0.4 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
4 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
7.2 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
19 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
260 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
200 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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