SI4946BEY-T1-E3 - 60V 5.5A 2.6W Rdson=0.052Ohm SMD SO8 dupla N-MOSFET - VISHAY
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SI4946BEY-T1-E3 - 60V 5.5A 2.6W Rdson=0.052Ohm SMD SO8 dupla N-MOSFET - VISHAY
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MOSFET, 60V Dual 5.5A 2.6W Rdson=0.052Ohm SMD SO8
Hersteller Code:
SI4946BEY-T1-E3
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplattenmontage (SMD)
Bauform:
Ausfuhr:
Oberflächenmontage (SMD)
Anzahl der Leitungen:
8
Bauform (JEDEC):
MS-012
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
2.6 W
Hersteller Kode:
SI4946BEY-T1-E3
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
5.5 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.052 Ohm @ 4.7 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
3 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
30 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
30 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
840 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
60 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+175 °C
ROHS:
Ja
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