SI4946BEY-T1-E3 - 60V 5.5A 2.6W Rdson=0.052Ohm SMD SO8 dupla N-MOSFET - VISHAY

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SI4946BEY-T1-E3 - 60V 5.5A 2.6W Rdson=0.052Ohm SMD SO8 dupla N-MOSFET - VISHAY

Name: SI4946BEY-T1-E3 - 60V 5.5A 2.6W Rdson=0.052Ohm SMD SO8 dupla N-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY (SILICONIX)
SKU: 25-04-57
Price: 1.7443 EUR
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MOSFET, 60V Dual 5.5A 2.6W Rdson=0.052Ohm SMD SO8

Hersteller Code:

SI4946BEY-T1-E3

Hersteller:

VISHAY (SILICONIX)

Datenblatt:

si4946be.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

SO8

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Bauform (JEDEC):

MS-012

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

2.6 W

Hersteller Kode:

SI4946BEY-T1-E3

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

5.5 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.052 Ohm @ 4.7 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

3 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

30 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

30 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

840 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

60 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+175 °C

ROHS:

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_016.pdf Siliconix_ROHS_marking.pdf

Gewicht:

0,187 g/St.