IRFBE30PBF - 800V 4.1A 125W Rdson=3Ohm TO-220AB N-MOSFET - VISHAY

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IRFBE30PBF - 800V 4.1A 125W Rdson=3Ohm TO-220AB N-MOSFET - VISHAY

Name: IRFBE30PBF - 800V 4.1A 125W Rdson=3Ohm TO-220AB N-MOSFET - VISHAY
Brand: VISHAY (IR)
SKU: 25-04-24
Price: 1.197 EUR
Availability: InStock

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MOSFET, 800 V 4.1 A 125 W Rdson=3Ohm TO-220AB

Hersteller Code:

IRFBE30PBF

Hersteller:

VISHAY (IR)

Datenblatt:

91118.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplatte-montierbar

Bauform:

TO-220AB

Ausfuhr:

Durchgangsloch

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

125 W

Hersteller Kode:

IRFBE30PBF

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

4.1 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

3 Ohm @ 2.5 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

4 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

12 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

82 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

1300 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

800 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

Mengenrabatt:

Menge [St.]

Netto [EUR]

Brutto [EUR]

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_012.pdf

Gewicht:

2 g/St.