IRF640NSPBF - 200V 18A 150W Rdson=0.15Ohm SMD D2PAK N-MOSFET - IRF
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MOSFET, 200V 18A 150W Rdson=0.15Ohm SMD D2PAK
Hersteller Code:
IRF640NSPBF
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplattenmontage (SMD)
Bauform:
Ausfuhr:
Oberflächenmontage (SMD)
Anzahl der Leitungen:
3
Bauform (JEDEC):
TO-263
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
150 W
Hersteller Kode:
F640NS
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
18 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.15 Ohm @ 11 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
4 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
10 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
23 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
1160 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
200 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+175 °C
ROHS:
Ja
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Daten
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