FQP12N60C - 600V 12A 225W Rdson=0.65Ohm TO-220 N-MOSFET - ONSEMI
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MOSFET, 600V 12A 225W Rdson=0.65Ohm TO-220
Hersteller Code:
FQP12N60C
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
225 W
Hersteller Kode:
FQP12N60C
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
12 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.65 Ohm @ 6 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
4 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
70 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
280 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
2290 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
600 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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Daten
Zusätzliches Datenblatt:
Gewicht:
2,03 g/St.
