FQA11N90 - 900V 11.4A 300W Rdson=0.96Ohm TO-3PN N-MOSFET - ONSEMI
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MOSFET, 900V 11.4A 300W Rdson=0.96Ohm TO-3PN
Hersteller Code:
FQA11N90
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
300 W
Hersteller Kode:
FQA11N90
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
11.4 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.75 Ohm @ 5.7 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
5 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
140 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
340 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
3500 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
900 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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Daten
Zusätzliches Datenblatt:
Gewicht:
5,4346 g/St.
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