VNB35NV04-E - 40V 30A 125W Rdson=0.01Ohm SMD D2PAK N-MOSFET - STMICROELECTRONICS
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MOSFET, 40V 30A 125W Rdson=0.01Ohm SMD D2PAK
Hersteller Code:
VNB35NV04-E
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplattenmontage (SMD)
Bauform:
Ausfuhr:
Oberflächenmontage (SMD)
Anzahl der Leitungen:
3
Bauform (JEDEC):
TO-263
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
125 W
Hersteller Kode:
VNB35NV04-E
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
30 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
0.01 Ohm @ 15 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
2.5 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
500 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
3000 ns
Drain-Source Spannung Uds [V]:
40 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+135 °C
ROHS:
Ja
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Daten
Zusätzliches Datenblatt:
Gewicht:
1,38 g/St.
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