VNB10N07-E - 70V 10A 50W Rdson=0.1Ohm SMD D2PAK N-MOSFET - STMICROELECTRONICS

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VNB10N07-E - 70V 10A 50W Rdson=0.1Ohm SMD D2PAK N-MOSFET - STMICROELECTRONICS

Name: VNB10N07-E - 70V 10A 50W Rdson=0.1Ohm SMD D2PAK N-MOSFET - STMICROELECTRONICS
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 25-02-32
Price: 2.5397 EUR
Availability: InStock

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MOSFET, 70V 10A 50W Rdson=0.1Ohm SMD D2PAK

Hersteller Code:

VNB10N07-E

Hersteller:

STMICROELECTRONICS

Datenblatt:

CD00000230.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplattenmontage (SMD)

Bauform:

D²-PAK

Ausfuhr:

Oberflächenmontage (SMD)

Anzahl der Leitungen:

Bauform (JEDEC):

TO-263

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

50 W

Hersteller Kode:

VNB10N07

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

10 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.1 Ohm @ 5 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

3 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

100 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

900 ns

Drain-Source Spannung Uds [V]:

70 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+135 °C

ROHS:

St.

Mengenrabatt:

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Brutto [EUR]

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_015.pdf

Gewicht:

1,38 g/St.