MTW10N100E - 1000V 10A 250W Rdson=1.3Ohm TO-247 N-MOSFET - ONSEMI
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MOSFET, 1000V 10A 250W Rdson=1.3Ohm TO-247
Hersteller Code:
MTW10N100E
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
250 W
Hersteller Kode:
MTW10N100E
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
10 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
1.3 Ohm @ 5 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
4 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
60 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
240 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
5600 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
1 kV
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Nicht
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Daten
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