MTY100N10E - 100V 100A 300W Rdson=0.011Ohm TO-264 N-MOSFET - ONSEMI

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MTY100N10E - 100V 100A 300W Rdson=0.011Ohm TO-264 N-MOSFET - ONSEMI

Name: MTY100N10E - 100V 100A 300W Rdson=0.011Ohm TO-264 N-MOSFET - ONSEMI
Brand: ONSEMI
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MOSFET, 100V 100A 300W Rdson=0.011Ohm TO-264

Hersteller Code:

MTY100N10E

Hersteller:

ONSEMI

Datenblatt:

MTY100N10E-D.pdf

Gruppe:

MOSFE-Transistoren

Bauteile Familie:

MOSFET, N-MOS

Bauform Style:

Leiterplatte-montierbar

Bauform:

TO-264

Ausfuhr:

Durchgangsloch

Anzahl der Leitungen:

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

300 W

Hersteller Kode:

MTY100N10E

Drain Strom Id [A] @ 25°C:

100 A

Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:

0.011 Ohm @ 50 A

Schwellenspannung Ugs[V]:

4 V

Anlaufszeit ton [nsec.]:

96 ns

Abfallzeit toff [nsec.]:

372 ns

Gate-Kapatität Ciss [pF]:

10640 pF

Drain-Source Spannung Uds [V]:

100 V

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

Nicht

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_013.pdf

Gewicht:

10,7372 g/St.