2SK1120(F) - 1000V 8A 150W TOP-3 N-MOSFET - TOSHIBA
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MOSFET, 1000V 8A 150W TOP-3
Hersteller Code:
2SK1120(F)
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
150 W
Hersteller Kode:
K1120
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
8 A
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
1.8 Ohm @ 4 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
3.5 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
40 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
100 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
1300 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
1 kV
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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