2N7000G - 60V 200mA 350mW TO-92 N-MOSFET - ONSEMI
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MOSFET, 60V 200mA 350mW TO-92
Hersteller Code:
2N7000G
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
MOSFE-Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
0.35 W
Hersteller Kode:
2N7000
Drain Strom Id [A] @ 25°C:
200 mA
Drain-Source Widerstand Rds[Ohm] @ Ids [A]:
5 Ohm @ 0.5 A
Schwellenspannung Ugs[V]:
3 V
Anlaufszeit ton [nsec.]:
10 ns
Abfallzeit toff [nsec.]:
10 ns
Gate-Kapatität Ciss [pF]:
60 pF
Drain-Source Spannung Uds [V]:
60 V
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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Zusätzliches Datenblatt:
Gewicht:
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