BYV32E-200,127 - 200V 2x10A TO-220AB Tr=25ns dióda - NXP

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Diode, 200V 2x10A TO-220AB Tr=25ns

Hersteller Code:

BYV32E-200,127

Hersteller:

NXP

Datenblatt:

BYV32E-200.pdf

Gruppe:

Standard Silizium Dioden - Gleichrichter

Bauteile Familie:

Doppeldiode ( tr<500 nanosec. )

Bauform Style:

Leiterplatte-montierbar

Bauform:

TO-220AB

Ausfuhr:

Durchgangsloch

Anzahl der Leitungen:

Bauform (JEDEC):

TO-220AB

Durchlassstrom If [A]:

2 x 10 A

Spitzendurchlassstrom Ifsm [A], max.:

137 A

Durchlassspannung Vfmax. [V]:

0.72 V @ 8 A

Spannung, Vrrm [V], Max:

200 V

Sperrstrom Ir [A]:

6 uA..600 uA

Erholungszeit, tr [sec.], Max.:

25 ns

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-40 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+150 °C

ROHS:

St.

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_E_005.pdf ROHS_NXP.pdf

Gewicht:

2 g/St.