MJ11032G - 120V 50A 300W TO-3 NPN Darlington diódával - ONSEMI

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MJ11032G - 120V 50A 300W TO-3 NPN Darlington diódával - ONSEMI

Name: MJ11032G - 120V 50A 300W TO-3 NPN Darlington diódával - ONSEMI
Brand: ONSEMI
SKU: 26-04-08
Price: 17.4332 EUR
Availability: InStock

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Transistor, Darlington+Diode 120V 50A 300W TO-3

Hersteller Code:

MJ11032G

Hersteller:

ONSEMI

Datenblatt:

MJ11028-D.pdf

Gruppe:

Bipolar Transistoren

Bauteile Familie:

Darlington leistungtransistor, NPN

Bauform Style:

Leiterplatte-montierbar

Bauform:

TO-3

Ausfuhr:

Durchgangsloch

Anzahl der Leitungen:

Bauform (JEDEC):

TO-204AA

Verlustleistung Ptot [W], Max.:

300 W

Hersteller Kode:

MJ11032G

Kollektor-Emitter Spannung Uceo [V]:

120 V

Kollektorstrom Ic [A], Max.:

50 A

Betriebstemperatur, Min. [°C]:

-55 °C

Betriebstemperatur, Max. [°C]:

+200 °C

ROHS:

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Daten

Zusätzliches Datenblatt:

RETKAT2012_F_007.pdf ROHS_ONSEMI.pdf

Gewicht:

12,039 g/St.