MJ11032G - 120V 50A 300W TO-3 NPN Darlington diódával - ONSEMI
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MJ11032G - 120V 50A 300W TO-3 NPN Darlington diódával - ONSEMI
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Transistor, Darlington+Diode 120V 50A 300W TO-3
Hersteller Code:
MJ11032G
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
Bipolar Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Bauform (JEDEC):
TO-204AA
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
300 W
Hersteller Kode:
MJ11032G
Kollektor-Emitter Spannung Uceo [V]:
120 V
Kollektorstrom Ic [A], Max.:
50 A
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+200 °C
ROHS:
Ja
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Nettopreis [EUR]
Brutto [EUR]
10
12,33 €
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Daten
Zusätzliches Datenblatt:
Gewicht:
12,039 g/St.
