BC640-016G - 80V 1A, hFE>100 800mW TO-92 PNP tranzisztor - ONSEMI
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Transistor, 80V 1A, hFE>100 800mW TO-92
Hersteller Code:
BC640-016G
Hersteller:
Datenblatt:
Gruppe:
Bipolar Transistoren
Bauteile Familie:
Bauform Style:
Leiterplatte-montierbar
Bauform:
Ausfuhr:
Durchgangsloch
Anzahl der Leitungen:
3
Bauform (JEDEC):
TO-226AA
Verlustleistung Ptot [W], Max.:
0.625 W
Hersteller Kode:
BC640-16
Kollektor-Emitter Spannung Uceo [V]:
80 V
Kollektorstrom Ic [A], Max.:
500 mA
Übergangsfrequenz ft [MHz]:
150 MHz
Betriebstemperatur, Min. [°C]:
-55 °C
Betriebstemperatur, Max. [°C]:
+150 °C
ROHS:
Ja
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Daten
Zusätzliches Datenblatt:
Gewicht:
0,198 g/St.
